Electronique de puissance - Composants - Caractérisation dynamique

Cette formation est à destination des publics technicien et ingénieur intéressés par la conception des convertisseurs statiques de puissance et souhaitant une information plus précise sur le comportement en commutation des transistors de puissance - à grand gap.

L'objectif est de faire un tour d'horizon du banc de test dédié, dit à double pulses, d'appréhender les problématique de mesure, les sources de perturbation des commutation et observer des commutation.

La compétence essentielle visée est la compréhension du banc de test dit double-pulses et l'observation expérimentale de la commutation de composants de puissance. 

PARTIE 1 - Rappel et modélisation de la trajectoire de commutation normale d'un transistor de puissance (MOSFET SiC et HEMT GaN)

Principales caractéristiques

Compromis vitesse-émissions électromagnétiques-pertes

Modélisation simplifiée du transistor et analyse en simulation de l'impact de la commande de grille (niveaux de tension, résistance de grille, capacité en courant, inductance parasite de routage).

PARTIE 2 - Analyse du banc de test

Simulation du banc et analyse des paramètres d'influence

Comparaison avec des mesures typiques et mise en évidence des perturbations externes ainsi que des limitations d'usage

Préparation d'une campagne de test

PARTIE 3 - Observation expérimentale de MOSFET SiC et HEMT GaN, ainsi que des associations parallèles

Mise en œuvre du banc avec un composant silicium (moins rapide, calibre en courant plus petit)

Vérification de l'influence des paramètres de réglage

Observation de la commutation normale d'un transistor MOSFET SiC (1200 V)

Observation de la commutation normale d'un transistor HEMT GaN (650 V)

Observation de la commutation normale de transistors MOSFET SiC mis en parallèle

Modalités pédagogique :

• ½ journée d'approche théorique et simulation,
• ½ journée de pratique expérimentale sur plateforme.