Electronique de puissance - Commutation des composants de puissance

PARTIE 1 - TRAJECTOIRE DE COMMUTATION NORMALE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE (MOSFET SiC et HEMT GaN)

• Principales caractéristiques
• Compromis vitesse-émissions électromagnétiques-pertes
• Modélisation simplifiée du transistor et analyse en simulation de l'impact de la commande de grille

MODELISATION DU TRANSISTOR : Analyse en simulation de l'impact de la commande de grille

• Niveaux de tension,
• Résistance de grille,
• Capacité en courant,
• Inductance parasite de routage

Travaux Pratiques : Analyse du banc de test

• Simulation du banc et analyse des paramètres d'influence
• Comparaison avec des mesures typiques et mise en évidence des perturbations externes ainsi que des limitations d'usage
• Préparation d'une campagne de test

Travaux Pratiques : Observation pratique de MOSFET SiC et HEMT GaN, ainsi que des associations parallèles

• Mise en œuvre du banc avec un composant silicium (moins rapide, calibre en courant plus petit)
• Vérification de l'influence des paramètres de réglage
• Observation de la commutation normale d'un transistor MOSFET SiC (1200 V)
• Observation de la commutation normale d'un transistor HEMT GaN (650 V)
• Observation de la commutation normale de transistors MOSFET SiC mis en parallèle

Pour aller plus loin : 

• Visualiser l'ensemble du parcours de formations en Electronique de puissance
• Formation 1401 - Propriétés des matériaux diélectriques sous haute tension
• Formation 8404 - Electronique de puissance - Caractérisation thermique des composants de puissance 
• Formation 8405 - Electronique de puissance - Driver de transistor à Grand Gap
• Formation 8406 - Electronique de puissance - Modélisation des composants et cellules de commutation
  
• Formation 8407 - Electronique de puissance - Protection et disjonction statique en courant continu