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Electronique de puissance - Caractérisation et vieillissement des composants de puissance

Code Formation: 8402

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Comprendre les mécanismes de vieillissement des composants de puissance est essentiel pour garantir fiabilité et durabilité des systèmes. Cette formation permet d’analyser une datasheet, réaliser des mesures et tests sur bancs de vieillissement afin d'anticiper les défaillances.
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80% du stage se déroule sur plateforme pratique : manipulation de traceurs industriels, analyse de datasheets, mesures statiques, dynamiques et thermiques, et estimation de la durée de vie des composants en conditions réelles.

Compétence principale visée

Caractériser les composants de puissance et appréhender leurs mécanismes de vieillissement

Objectifs pédagogiques

  • Caractériser les composants de puissance en statique, dynamique et thermique à l'aide de traceurs industriels et maitriser les essais de fiabilité standards
  • Comprendre et vérifier les éléments de la datasheet 
  • Appréhender les différents mécanismes de vieillissement

Public

  • Techniciens et ingénieurs souhaitant se former à la caractérisation et à l'analyse des mécanismes de vieillissement des composants de puissance

Prérequis

PARTIE 1 - CONSTRUCTION DE LA DATASHEET

  • Cadre théorique
  • Statique  / Testeur
    • I-V, C-V
    • Matériels : B1505, 4200 (nouveau), B2902, Iwatsu
    • Extraction de paramètres Ron, Gm, Vth, Vbr, facteur d'idéalité, hauteur de barrière, résistance série ...
    • Température - Bloc chauffant, Conditionneur thermique, Enceinte Iwatsu
  • Dynamique / Double Pulse
    • Principe de fonctionnement
    • Diodes SiC, MOSFET SiC, HEMT GaN
    • Court-circuit vers SOA
    • Avalanche
    • Surge Diodes SiC Composants élémentaires

 

TRAVAUX PRATIQUES : Vérification de la Datasheet 

 

PARTIE 2 - VIEILLISSEMENT ET MÉCANISMES DE DÉFAILLANCE 

  • Contexte et objectifs
  • Statique
  • Dynamique
  • Accélération
  • Essais de fiabilité standards
    • HTRB,
    • HTRG,
    • HTOL, ...

 

ANALYSE D'UN BANC DE VIEILLISSEMENT ACCÉLÉRÉ

  • Rappel des mécanismes de défaillance typique d'un MOSFET SiC
  • Philosophie de construction d'un banc de viellissement accéléré
  • Analyse d'un banc par cyclage actif (MOSFET SiC en boîtier TO247-4) 
  • Démonstration du banc, aspects métrologiques, limites d'opération
  • Dépouillement de données typique
  • Vers l'estimation de la durée de vie en fonctionnement

 

Pour aller plus loin : 

Exposés et travaux dirigés : Echantillons de composants, Plateforme de tests et mesures électriques de composants en laboratoire

 

Un support de cours sera remis à chacun des participants.
Evaluation des acquis de formation
Evaluation des acquis des apprenants réalisée en fin de formation par un questionnaire ouvert contextualisé
Taux de réussite

90.4% des apprenants ont acquis la compétence principale visée

Résultat obtenu pour 250 participants évalués ayant suivi une formation dans la thématique sur les 5 dernières années

Évaluation de la satisfaction

Evaluation du ressenti des participants en fin de formation (Niveau 1 KIRKPATRICK)

Résultats de l’évaluation

Le niveau de satisfaction globale est évalué à 4.4/5 par les participants.

Evaluations réalisées auprès des 412 participants ayant suivi une formation dans la thématique sur les 5 dernières années

Actualisée le 24-12-2025