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Electronique de puissance - Composants électroniques actifs

Code Formation: 8401

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La montée en puissance des composants électroniques actifs transforme l’électronique de puissance. Cette formation apporte les clés pour comprendre leurs spécificités et optimiser leur intégration dans les systèmes industriels.
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50 % de la formation se déroule sur plateforme en application pratique et numérique : travaux expérimentaux sur diodes, MOSFET, IGBT et HEMT, avec exploitation de datasheets et mesures en laboratoire.

Compétence principale visée

Savoir sélectionner, caractériser et exploiter efficacement les principaux composants de puissance à semi-conducteurs grand gap

Objectifs pédagogiques

  • Choisir et utiliser les composants de puissance à semi-conducteur grand gap
  • Maitriser le fonctionnement des principaux composants de puissance à semi-conducteur grand gap

Public

  • Techniciens et ingénieurs intéressés par le fonctionnement des principaux composants de puissance à semi-conducteur grand gap et leurs utilisations

Prérequis

PARTIE 1 - DIODES 

  • Spécificité des diodes bipolaires PiN :
    • forte injection,
    • champ trapézoïdal
  • Schottky, JBS-MPS

 

TRAVAUX PRATIQUES : Diodes - extraction paramètres

  • Facteur d'idéalité, 
  • Hauteur de barrière, 
  • Tenue en tension, 
  • Courant de fuites température, 
  • Courant nominal

 

PARTIE 2 - MOSFET - STRUCTURE

  • Planar,
  • Trench,
  • SuperJonction

 

TRAVAUX PRATIQUES : MOSFET - Extraction paramètres

  • Caractéristiques de Transfert,
  • Tenue en tension, 
  • Courant de fuites, 
  • Température,
  • Résistance à l'état de passant

 

PARTIE 3 - IGBT - STRUCTURE 

  • Planar,
  • Trench,
  • NPT,
  • PT

 

TRAVAUX PRATIQUES : IGBT- Extraction paramètres

  • Caractéristiques de Transfert,
  • Tenue en tension, 
  • Courant de fuites, 
  • Température,
  • Résistance à l'état de passant

 

PARTIE 4 - HEMT

  • Structure : Latéral, Pseudo verticale
  • Fonctionnement : Normally-on , Normally-off
  • Résistance dynamique

 

TRAVAUX PRATIQUES : HEMT- Extraction paramètres

  • Caractéristiques de Transfert,
  • Tenue en tension, 
  • Courant de fuites, 
  • Température,
  • Résistance à l'état de passant

 

PARTIE 5 - LECTURE DE DATA-SHEET 

  • Caractéristiques :
    • Statique,
    • Dynamique,
    • Thermiques,
    • Aire de Sécurité (SOA)
  • Conditions des tests de mesures

 

Pour aller plus loin : 

Exposés et travaux dirigés : Echantillons de composants, Fiches de simulation de type SPICE, Plateforme de tests et mesures électriques de composants en laboratoire. Un support de cours sera remis à chacun des participants.
Evaluation des acquis de formation
Evaluation des acquis des apprenants réalisée en fin de formation par un questionnaire ouvert contextualisé
Taux de réussite

90.4% des apprenants ont acquis la compétence principale visée

Résultat obtenu pour 250 participants évalués ayant suivi une formation dans la thématique sur les 5 dernières années

Évaluation de la satisfaction

Evaluation du ressenti des participants en fin de formation (Niveau 1 KIRKPATRICK)

Résultats de l’évaluation

Le niveau de satisfaction globale est évalué à 4.4/5 par les participants.

Evaluations réalisées auprès des 412 participants ayant suivi une formation dans la thématique sur les 5 dernières années

Actualisée le 24-12-2025