Electronique de Puissance : Modélisation des composants et cellules de commutation

PARTIE 1 - Tour d'horizon suite logiciel Sentaurus

• Définition : Structure importance du Maillage (SDE) génération du fichier TDR
• Présentation des modèles des mécanismes dans le Semi-conducteur + paramètres (.par)

Simulation : électrique statique

• Visualisation des résultats (I-V et Mapping) Inspect et SV Inspect
• Simulation Dynamique

Travaux Pratiques : TCAD appliqué aux composants SiC Diodes et MOSFET, GaN HEMT

• Diodes SiC JBS, 650V à 3300V
• MOSFET SiC 650V à 3300V
• HEMT GaN 200V à 650V

Présentation des modèles et simulation

• Modèles SPICE, Modélisation VHDL-AMS
• Modélisation Thermique : Réseau R/C
• Simulations en Statique et Dynamique tenant en compte des Worst-Case

Travaux Pratiques : Intégration des modèles dans le simulateur 

• Partir d'un modèle fourni par le constructeur et l'intégrer dans le logiciel

Simulation : construction d'un modèle de composants 

• Partir d'une caractérisation électrique statique pour implémenter dans un modèle existant
• Comparaison simulation et caractéristiques mesurées

our aller plus loin : 

• Visualiser l'ensemble du parcours de formations en Electronique de puissance
• Formation YYYY - Commutation des composants de puissance
• Formation XXXX - Caractérisation thermique des composants de puissance
• Formation YYYY - Driver de transistor à grand gap
• Formation 1401 - Propriétés des matériaux diélectriques sous haute tension
• Formation DDDD - Protection et disjonction statique en courant continu